| 发明名称 | 一种制备有机半导体材料红荧烯微-纳米线的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制备有机半导体材料红荧烯微-纳米线的方法，其特征在于：以红荧烯为蒸镀原料，以洁净硅片或物理气相传输方法生长成的并四苯单晶体为衬底，采用真空蒸镀的方式制备，并在控制沉积速率和蒸镀时间的条件下，在所述半导体衬底上沉积形成具有规格尺寸的红荧烯微-纳米线。本发明提供的制备方法，其投入应用后：由于采用了可以精确控制蒸镀红荧烯沉积速率及蒸镀时间的真空蒸镀方法，从而可以精确控制红荧烯微-纳米线的尺寸大小，同时简化了制备工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN101476103B | 申请公布日期 | 2010.12.22 |
| 申请号 | CN200810243123.2 | 申请日期 | 2008.12.01 |
| 申请人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明人 | 曾雄辉;徐科;张锦平;张露;黄凯 |
| 分类号 | C23C14/06(2006.01)I;C23C14/04(2006.01)I;C23C14/26(2006.01)I;H01L51/00(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人 | 陈忠辉 |
| 主权项 | 一种制备有机半导体材料红荧烯微 纳米线的方法，其特征在于：以红荧烯为蒸镀原料，将半导体的衬底维持在室温，且控制沉积速率介于0.1nm/分钟～0.4nm/分钟对衬底进行真空蒸镀，蒸镀时间取用4分钟或8分钟，以在所述半导体衬底上沉积形成具有规格尺寸的红荧烯微 纳米线。 | ||
| 地址 | 215123 江苏省苏州市工业园区若水路398号 | ||