发明名称 |
一种平板PECVD氮化硅覆膜的系统 |
摘要 |
本实用新型涉及氮化硅(SiNx)薄膜领域,具体为一种平板PECVD氮化硅覆膜的系统。该系统设有装载腔I、装载腔II、工艺腔、卸载腔I和卸载腔II,装载腔I、装载腔II、工艺腔、卸载腔I和卸载腔II为模块化的五个腔体,装载腔I和装载腔II相通,装载腔II和工艺腔相通,工艺腔和卸载腔I相通,卸载腔I和卸载腔II相通;装载腔I的外侧设置进载台,卸载腔II的外侧依次设置装卸载台和出载台,装卸载台的下部设置封闭式下传输系统。本实用新型解决现有技术中存在的生产时间长、成本较高等问题。在产量高的同时节省一个装卸载台和一个操作人员,并且除了装卸载台和出载台在洁净间以外,其它的部分都可以放到普通环境中、成本更低。 |
申请公布号 |
CN201678731U |
申请公布日期 |
2010.12.22 |
申请号 |
CN201020179328.1 |
申请日期 |
2010.05.05 |
申请人 |
中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司 |
发明人 |
张振厚;赵科新;赵崇凌;李士军;张健;张冬;洪克超;段鑫阳;徐宝利;钟福强;陆涛 |
分类号 |
C23C16/34(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/34(2006.01)I |
代理机构 |
沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 |
代理人 |
张志伟 |
主权项 |
一种平板PECVD氮化硅覆膜的系统,其特征在于:该系统设有装载腔I、装载腔II、工艺腔、卸载腔I和卸载腔II,装载腔I、装载腔II、工艺腔、卸载腔I和卸载腔II为模块化的五个腔体,装载腔I和装载腔II相通,装载腔II和工艺腔相通,工艺腔和卸载腔I相通,卸载腔I和卸载腔II相通;装载腔I的外侧设置进载台,卸载腔II的外侧依次设置装卸载台和出载台,装卸载台的下部设置封闭式下传输系统。 |
地址 |
110168 辽宁省沈阳市浑南新区新源街1号 |