发明名称 |
一种原子层沉积超薄氧化铝薄膜的装置及方法 |
摘要 |
本发明涉及一种原子层沉积超薄氧化铝薄膜的装置及方法。本发明用双频即微波ECR加射频负偏压设备产生等离子体沉积氧化铝薄膜。用微波ECR加射频负偏压系统使工作气体产生等离子体,以三甲基铝(TMA)为单体,用TMA-Ar-O2-Ar的交替脉冲的方式用等离子体方法实现原子层沉积氧化铝薄膜,沉积温度为室温。由于采用等离子体作为活性基的产生方式,沉积可以在较低的环境温度下进行,且生长速率较热原子层沉积高,约为0.12nm/周期,制备的薄膜质量也较热原子层沉积高。所得的Al2O3薄膜可广泛地应用于微电子器件、电致发光器件、光波导器件以及抗腐蚀涂层等众多领域。 |
申请公布号 |
CN101921994A |
申请公布日期 |
2010.12.22 |
申请号 |
CN201010241708.8 |
申请日期 |
2010.07.30 |
申请人 |
北京印刷学院 |
发明人 |
陈强;桑利军;李兴存 |
分类号 |
C23C16/40(2006.01)I;C23C16/505(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/40(2006.01)I |
代理机构 |
北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 |
代理人 |
刘萍 |
主权项 |
一种原子层沉积制备超薄氧化铝薄膜的装置,包括微波源(1)、石英窗口(2)、励磁线圈(3)、真空室(34)设有第一输气管(10)以及第二输气管(9);基片放置于真空室(34)内的基片台(7)上,热电偶(8)连接基片台(7)真空泵(5)连接将真空室(34),真空室(34)设有观察窗(4);其特征在于:基片台(7)连接有产生等离子体的射频电源(6)。 |
地址 |
102600 北京市大兴区兴华北路25号 |