| 发明名称 | 在半导体器件中形成引线键合的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种在半导体器件中形成引线键合的方法，包括接近键合焊盘上的针痕形成具有第一成分的第一凸块。邻近所述第一凸块形成具有所述第一成分的第二凸块，使得远离所述针痕形成所述第一和第二凸块。具有比所述第一成分硬的第二成分的引线附连到所述第一和第二凸块的顶部以形成互连。 | ||
| 申请公布号 | CN101924046A | 申请公布日期 | 2010.12.22 |
| 申请号 | CN200910159553.0 | 申请日期 | 2009.06.16 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 张长亮;姜英伟;王志杰;肖维 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 刘光明;穆德骏 |
| 主权项 | 一种将第一导电区电连接到第二导电区的方法，包括：在所述第一导电区上形成具有第一成分的第一凸块；在所述第一导电区上邻近所述第一凸块形成具有所述第一成分的第二凸块；在所述第一和第二凸块的顶部附连具有第二成分的引线的第一端；以及将所述引线的第二端连接到所述第二导电区。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||