| 主权项 |
一种环境光侦测器，其包括：一基底；一缓冲层，其系形成于该基底上，其中该缓冲层之掺杂载子电性与该基底相同；一吸收层，其系形成于该缓冲层上，用以吸收人眼可视波长范围之可见光，且该吸收层系为一PIN(P-type-Intrinsic-N-type)结构，其材料系为AlxGa1-xAs，0<x<1，但其中包含一成分渐变层的中性层(Intrinsic)，其材料系为AlyGa1-yAs，且y系由0渐变至1；一滤光层，其系形成于该吸收层上，用以滤去红外光及人眼反应不敏感之高能光子；其中该PIN结构具有一第一吸收次层；且其中该第一吸收次层具有一与该缓冲层相同的掺杂型态。如申请专利范围第1项所述之环境光侦测器，其中做为该吸收层之该PIN结构进一步包含一第二吸收次层、一第三吸收次层、一第四吸收次层与一第五吸收次层，其中该第一吸收次层与该第五吸收次层分别为P型或N型掺杂，但两者为不同型；而该第二吸收次层、该第三吸收次层、该第四吸收次层为无掺杂，且该第三吸收次层系为该中性层。如申请专利范围第1项所述之环境光侦测器，其中该滤光层进一步包含一第一滤光次层、第二滤光次层与第三滤光次层，其中该第一滤光次层与第三滤光次层之材料系为砷化镓，或铝成分的比例低于该第五吸收次层的砷化铝镓；以及该第二滤光次层之材料为AlzGa1-zAs，0.7<z<0.75。如申请专利范围第1项所述之环境光侦测器，其中该滤光层与该基底系分别为P型或N型掺杂，但两者系为不同型。如申请专利范围第2项所述之环境光侦测器，其中该第五吸收次层与该滤光层为同型，且该基底、该缓冲层与该第一吸收次层需为同型。如申请专利范围第1项所述之环境光侦测器，其中该缓冲层与该基底系均为偏压电极的接触平面。如申请专利范围第1项所述之环境光侦测器，其中该吸收层的材料为AlxGa1-XAs，且0.4<x<0.65。如申请专利范围第1项所述之环境光侦测器，其中该中性层的材料为AlyGa1-yAs，且y系自0.3渐变至0.8。如申请专利范围第1项所述之环境光侦测器，其中该中性层的材料为AlyGa1-yAs，且y系自0.3渐变至0.61。如申请专利范围第1项所述之环境光侦测器，其中该基底系N型。如申请专利范围第1项所述之环境光侦测器，其中该滤光层之厚度系50~500 nm。 |
