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一种利用传统互补金属氧化物半导体与微机电系统制程技术之矽光检测器成型方法，系包含有：a．利用传统互补金属氧化物半导体制程制作出矽光检测器；b．将利用传统互补金属氧化物半导体制程制作出之矽光检测器，进行微机电系统制程，以消除元件底部基板，该微机电系统制程为侧蚀刻制程。一种利用申请专利范围第1项之成型方法成型之构造，系包含有：一矽光检测器，该矽光检测器以互补金属氧化物半导体制程制成，该矽光检测器元件底部基板为一种经侧蚀刻后之基板。如申请专利范围第2项所述之利用传统互补金属氧化物半导体与微机电系统制程技术之矽光检测器成型方法成型之构造，其中该光检测器下方基板侧蚀刻程度以出现蚀刻凹痕至基板能够承受最大蚀刻量为限，侧蚀刻越大越能提升光检测器的光反应速度。 |
