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发明名称 A method for forming a transistor of a semiconductor device
摘要
申请公布号 KR101002047(B1) 申请公布日期 2010.12.17
申请号 KR20030052749 申请日期 2003.07.30
申请人 发明人
分类号 H01L21/335 主分类号 H01L21/335
代理机构 代理人
主权项
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