Method for manufacturing amorphous silicon film on any substrate using sacrificial oxide layer,申请号KR20090039032-传众专利搜索

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发明名称	Method for manufacturing amorphous silicon film on any substrate using sacrificial oxide layer
摘要
申请公布号	KR101001254(B1)	申请公布日期	2010.12.17
申请号	KR20090039032	申请日期	2009.05.04
申请人		发明人
分类号	H01L21/20	主分类号	H01L21/20
代理机构		代理人
主权项
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