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发明名称 Verfahren zur Herstellung einer Transistorvorrichtung mit vertieftem Gate
摘要
申请公布号 DE102007021977(B4) 申请公布日期 2010.12.16
申请号 DE200710021977 申请日期 2007.05.10
申请人 NANYA TECHNOLOGY CORPORATION 发明人 LEE, YU-PI;LIN, SHIAN-JYH;HO, JAR-MING
分类号 H01L21/336;H01L21/8242 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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