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Es wird ein Verfahren zum Texturieren einer Oberfläche eines Halbleitersubstrates vorgeschlagen. Die Oberfläche wird dabei mit einer das Halbleitersubstratmaterial ätzenden Ätzlösung geätzt, wobei der Ätzlösung ein Benetzungsmittel beigefügt ist, welches wasserlösliche Polymere, insbesondere in Form von Polyvinylalkohol, enthält. Hierbei können die Prozesstemperaturen der Ätzlösung im Vergleich zu herkömmlichen Texturierungsverfahren erhöht werden, wodurch sich die Prozessdauer verkürzen lässt. Eine Prozessführung wird vereinfacht und eine Prozessstabilität erhöht. Eine geeignete Texturierungsvorrichtung zum Durchführen des Verfahrens kann zusätzlich zu einem Becken (6) zum Aufnehmen der Ätzlösung (7) und einer Heizung (9) zum Erhitzen der Ätzlösung (7) auf mindestens 85°C noch eine optional beheizbare Entleerungseinrichtung (12) zum Entleeren der Ätzlösung aus dem Becken (6), eine Entfernungseinrichtung (14, 15) zum Entfernen von kristallisierten wasserlöslichen Polymeren aus der Ätzlösung (7) sowie eine Umwälzeinrichtung (18) zum Umwälzen der Ätzlösung aufweisen.
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