发明名称 | 相变存储器的数据读出方法及读出电路 | ||
摘要 | 本发明提供一种相变存储器的数据读出方法及读出电路,当读数据电路在读取相变存储器的一条位线上被选择出的相变存储单元所存储的数据的同时,预充电电路对所述相变存储器的各待读取相变存储单元各自所在的位线中的至少一条进行预充电操作,由此可解决相变存储器在读出时由于位线寄生电容大而无法快速读出的问题,有效提高数据的读出速度。 | ||
申请公布号 | CN101916590A | 申请公布日期 | 2010.12.15 |
申请号 | CN201010258113.3 | 申请日期 | 2010.08.19 |
申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 李喜;陈后鹏;宋志棠 |
分类号 | G11C16/06(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/06(2006.01)I |
代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 李仪萍 |
主权项 | 一种相变存储器的数据读出方法,其特征在于包括:读数据电路在读取相变存储器的一条位线上被选择出的相变单元所存储的数据的同时,预充电电路对所述相变存储器的各待读取相变单元各自所在的位线中的至少一条进行预充电。 | ||
地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号 |