非易失性存储设备及其控制方法

摘要

本发明实施例提供了一种非易失性存储设备及其控制方法，其中非易失性存储设备包括一个以上的FLASH芯片、FLASH控制器，以及连接所述FLASH芯片与FLASH控制器的CE控制线和读写使能控制线，所述CE控制线为总线式控制线；所述各个FLASH芯片分别通过两条读写使能控制线与FLASH控制器连接，用于在FLASH控制器通过所述CE控制线同时开启各个FLASH芯片后，选择读写操作的目的FLASH芯片并进行读写操作控制，本发明实施例还提供了相应的控制方法。本发明上述实施例提供的设备及其控制方法，能够有效减少FLASH控制器上的管脚需求，提高存储设备的可扩展性能。

主权项

一种非易失性存储设备，其特征在于，包括一个以上的FLASH芯片、FLASH控制器，以及连接所述FLASH芯片与FLASH控制器的片选信号控制线和读写使能控制线；所述片选信号控制线为总线式控制线，用于与各个所述FLASH芯片连接，并控制所述各个FLASH芯片的开启与关闭；各个所述FLASH芯片分别通过两条读写使能控制线与FLASH控制器连接，用于在FLASH控制器通过所述片选信号控制线开启各个FLASH芯片后，选择读写操作的目的FLASH芯片，并对所述读写操作的目的FLASH芯片进行读写操作控制。