发明名称 | 去除三氯氢硅中硼杂质的方法 | ||
摘要 | 本发明属于三氯氢硅的提纯技术领域,特别涉及去除三氯氢硅中硼杂质的方法。本发明所要解决的技术问题是提供去除三氯氢硅中硼杂质的方法,该方法步骤简单、易操作,成本较低。所述去除三氯氢硅中硼杂质的方法具体为:在三氯氢硅中添加活性炭,混匀、静置,过滤后即得去除了硼杂质的三氯氢硅。本发明所需设备较少,不需要其它辅助配套设施。可以和精馏方法连用,即利用活性炭对需要精馏去除B杂质的氯硅烷进行吸附预处理,吸附90~120min后,再进入精馏塔进行精馏。可减少精馏塔数量,节约设备投资;降低能耗,减少精馏过程后,可以节约精馏所需蒸汽、电耗、制冷剂等,降低生产能耗。 | ||
申请公布号 | CN101913610A | 申请公布日期 | 2010.12.15 |
申请号 | CN201010288968.0 | 申请日期 | 2010.09.21 |
申请人 | 乐山乐电天威硅业科技有限责任公司 | 发明人 | 张新;王璜;李强;卢涛;毕有东 |
分类号 | C01B33/107(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/107(2006.01)I |
代理机构 | 成都虹桥专利事务所 51124 | 代理人 | 罗丽;武森涛 |
主权项 | 去除三氯氢硅中硼杂质的方法,其特征在于:在三氯氢硅中添加活性炭,混匀、静置吸附,过滤后即得去除了硼杂质的三氯氢硅。 | ||
地址 | 614000 四川省乐山市高新技术开发区乐高大道6号 |