发明名称 |
NOR型混合多位非易失性存储器件及其操作方法 |
摘要 |
本发明涉及NOR型混合多位非易失性存储(NVM)器件及其操作方法。该NOR型混合多位NVM器件包括排列成多个行和列的矩阵的单位单元。每个单位单元包括第一存储单元和第二存储单元,两者共享源极和漏极。排列在每行中的单位单元的第一存储单元共同连接于多根字线之一,排列在每列中的单位单元的漏极共同连接于多根位线之一。 |
申请公布号 |
CN1841754B |
申请公布日期 |
2010.12.15 |
申请号 |
CN200610067856.6 |
申请日期 |
2006.03.13 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
金元柱;朴允童 |
分类号 |
H01L27/115(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/115(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
陶凤波;侯宇 |
主权项 |
一种NOR型混合多位非易失性存储器件,其具有单位单元排列成多个行和列的矩阵的NOR单元阵列结构,其中,每个该单位单元包括:沟道;第一存储单元,该第一存储单元包括能够存储电荷的第一类型的第一存储节点,并且根据该沟道的阈值电压的相应于该电荷是否存储在该第一存储节点中的改变来读取数据;以及第二存储单元,该第二存储单元包括具有根据施加于其上的电压的可变电阻特性的第二类型的第二存储节点、以及连接于该第二存储节点的开关,该第二类型不同于该第一类型,该第一存储单元和该第二存储单元共享源极和漏极,排列在每行中的该单位单元的该第一存储单元共同连接于多根字线中的一根,排列在每列中的该单位单元的该漏极共同连接于多根位线中的一根。 |
地址 |
韩国京畿道 |