氮化硅涂层石英坩埚的制备方法

摘要

本发明提供一种氮化硅涂层石英坩埚的制备方法，其特征在于：包括陶瓷浆料制备、涂覆涂层、干燥和烧成，将粒度为0.01-3μm的单晶硅硅粉体和粒度为0.01-3μm二氧化硅粉体混合形成陶瓷结合剂，再将陶瓷结合剂与粒度为1-5μm氮化硅粉体和乙醇在球磨机中制成氮化硅陶瓷浆料，经真空处理后喷涂到未经烧制的石英坩埚表面形成厚度为10-100μm的氮化硅涂层，在80～100℃的温度下干燥，然后在1140℃-1300℃的温度氮气气氛烧制6-8小时制得氮化硅涂层石英坩埚。本发明制备的氮化硅涂层石英坩埚用于熔炼单晶硅和多晶硅，由于该方法为氮化硅涂层和石英坩埚同时烧成，具有涂层结合强度高，成本低的特点。

主权项

一种氮化硅涂层石英坩埚的制备方法，其特征在于：包括陶瓷浆料制备、涂覆涂层、干燥和烧成，将粒度为0.01 3μm的单晶硅硅粉体和粒度为0.01 3μm二氧化硅粉体混合形成陶瓷结合剂，再将陶瓷结合剂与粒度为1 5μm氮化硅粉体和乙醇在球磨机中制成氮化硅陶瓷浆料，经真空处理后喷涂到未经烧制的石英坩埚表面形成厚度为10 100μm的氮化硅涂层，在80～100℃的温度下干燥，然后在1140℃ 1300℃的温度、氮气气氛烧制6 8小时一次烧制制得氮化硅涂层石英坩埚。