半导体装置及其制造方法

摘要

一种半导体装置，其包括：半导体基体；异质半导体区域，其与半导体基体接触，并且其具有带隙与半导体基体的带隙不同；第一电极，其与异质半导体区域连接；以及第二电极，其与半导体基体欧姆接触。异质半导体区域包括通过层叠多个半导体层形成的层状异质半导体区域，其中，在至少两层之间的界面处的晶格对准不连续。

主权项

一种半导体装置，其包括：第一导电类型的半导体基体；异质半导体区域，其与所述半导体基体的主表面接触，所述异质半导体区域的带隙宽度与所述半导体基体的带隙宽度不同；第一电极，其与所述异质半导体区域连接；以及第二电极，其与所述半导体基体连接，其中，所述异质半导体区域包括用于截止反向操作过程中产生的漏电流的结构，所述异质半导体区域由层状异质半导体区域形成，在所述层状异质半导体区域中，多个半导体层彼此层叠，所述层状异质半导体区域的最上层半导体层与所述第一电极连接，所述层状异质半导体区域的最下层半导体层与所述半导体基体接触，所述最上层半导体层与所述半导体基体直接接触，以及所述最上层半导体层的杂质浓度大于所述最下层半导体层的杂质浓度。