| 发明名称 | 改善60纳米以下高压器件阈值电压变化曲线的方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示了改善60纳米以下高压器件阈值电压沿着沟道长度变化曲线的方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上形成栅介质层；在栅介质层上形成栅电极，其中，栅电极具有多个间隙，将栅电极分隔为多个部分，栅电极的这些部分将栅介质层分成第一部分栅介质层和第二部分栅介质层，其中第一部分栅介质层为栅介质层被栅电极覆盖的部分，第二部分栅介质层为栅介质层未被栅电极覆盖的部分，其中在高压器件的沟道宽度方向上，每个间隙的宽度均衡。本发明的方法通过对栅电极构图的修改调整了随着高压器件长度改变，阈值电压的变化曲线，使得设计者即使在小尺寸的高压器件的设计中，也能够让该高压器件提供符合规格的阈值电压。 | ||
| 申请公布号 | CN101916721A | 申请公布日期 | 2010.12.15 |
| 申请号 | CN201010235682.6 | 申请日期 | 2010.07.23 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 黎坡 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种改善60纳米以下高压器件阈值电压变化曲线的方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上形成栅介质层；在栅介质层上形成栅电极，其中，所述栅电极具有多个间隙，将所述栅电极分隔为多个部分，所述栅电极的这些部分将所述栅介质层分成第一部分栅介质层和第二部分栅介质层，其中第一部分栅介质层为所述栅介质层被所述栅电极覆盖的部分，第二部分栅介质层为所述栅介质层未被栅电极覆盖的部分，其中在所述高压器件的沟道宽度方向上，所述每个间隙的宽度均衡。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江高科技园区郭守敬路818号 | ||