一维介孔晶的ZnO基稀磁半导体及其制备方法

摘要

一维介孔晶的ZnO基稀磁半导体及其制备方法，涉及一种半导体。提供一种一维介孔晶的ZnO基稀磁半导体及其制备方法。一维介孔晶的ZnO基稀磁半导体为过渡金属掺杂ZnO基DMSs一维介孔晶纳米材料，分子式为Zn1-xTMxO，TM为过渡金属，x为掺杂成分的百分比，x＝0.01～0.10。将锌盐溶解在离子液体中，加热至溶液透明；往溶液中加入过渡金属盐至全部溶解，得混合溶液；将混合溶液加热回流，自然冷却至室温，将所得到沉淀依次用水和乙醇洗涤，得到的粉末干燥，即得具有室温铁磁性的一维介孔晶的ZnO基稀磁半导体。晶体生长的温度低，设备要求简单，反应条件温和，溶剂非挥发，整个反应过程绿色环保，原料廉价。

主权项

一维介孔晶的ZnO基稀磁半导体，其特征在于为过渡金属掺杂ZnO基DMSs一维介孔晶纳米材料，其分子式为Zn1 xTMxO，其中TM为过渡金属，x为掺杂成分的百分比，x＝0.01～0.10。