| 发明名称 | 包含设计用于无铝焊块连接的管芯区的半导体器件以及设计用于无铝引线键合的测试结构 | ||
| 摘要 | 于包含铜基(copper-based)金属化系统之精密半导体器件(200)中，根据造成相等最终介电层(identical final dielectric 1ayer)堆栈(203)于下述器件区域中之制造技术，能于器件区(250D)中形成实质上无铝焊块之结构(212D)以及能于测试区(250T)中形成实质上无铝引线键合之结构(212T)。通过决定关于衬底是要变成产品衬底还是用于评估实际半导体器件(202D)之可靠度的测试衬底，而能减少技术步骤数量。举例而言，镍(nickel)接触组件能形成于铜基接触区域上方，其中，镍能提供用于引线键合或形成焊块材料于其上的基底。 | ||
| 申请公布号 | CN101919036A | 申请公布日期 | 2010.12.15 |
| 申请号 | CN200880125177.7 | 申请日期 | 2008.11.21 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | M·莱尔;F·屈兴迈斯特;S·蒂尔巴赫 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;靳强 |
| 主权项 | 一种方法，包括：在形成于衬底(201)上方的最后金属化层(207)上方形成最终介电层堆栈(203)，该最后金属化层包括：连接至包含半导体器件(202D)的器件区(250D)的第一接触区域(207D)，以及连接至测试区(250T)的第二接触区域(207T)；图案化该最终介电层堆栈(203)以暴露该第一及第二接触区域(207D、207T)；以及在该第一及第二接触区域(207D、207T)上形成金属堆栈(212D、212T)，该金属堆栈(212D、212T)的顶部层(213、214)被配置成能进行引线键合。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||