矩形平面磁控靶

摘要

本实用新型公开了一种矩形平面磁控靶，包括靶材本体，其特征在于：在靶材本体的两端向内凹陷形成避让台阶。本实用新型涉及溅射镀膜设备技术领域，特别是涉及一种改进型的矩形平面磁控靶结构。本实用新型解决了现有磁控溅射薄膜过程中，中性的靶原子(或分子)容易沉积于矩形平面磁控靶的阴极与阳极间形成导电薄膜，造成短路现象发生的问题。本实用新型的矩形平面磁控靶内凹陷形成避让台阶，有效的增加了矩形平面磁控靶靶材阴极与阳极间的距离，能避免矩形平面磁控靶的阳极与阴极间形成导电薄膜，节约了因频繁维护靶材而付出的动力成本及设备停机时间，提高了生产效率。

主权项

一种矩形平面磁控靶，包括靶材本体，其特征在于：在靶材本体的两端向内凹陷形成避让台阶。