发明名称 |
用Si<sup>+</sup>自注入制备室温下硅晶体D<sub>1</sub>线发光材料的方法 |
摘要 |
本发明涉及一种用Si+自注入制备室温下硅晶体D1线发光材料的方法,属于光电子技术领域。本方法具体步骤为:a.用离子注入机将Si+作为注入离子自注入用现有方法处理过的硅基片中,其注入剂量为1012cm-2-1016cm-2,注入能量为100keV-300keV;注入整个过程在真空、室温环境下进行;b.对注入Si+离子的硅基片进行高温炉退火处理,退火温度700-1100℃,退火时间为1-20小时,保护气氛为氮或氩气;退火处理后得到室温D1线强发光的硅材料。本发明突出的优点在于:用成本低、工艺简单的离子注入技术来获得室温下发光稳定、高效的硅材料,同时该材料与现行Si基CMOS集成电路能够完全兼容,为全硅芯片光电子-微电子集成工程的实现奠定了基础。 |
申请公布号 |
CN101916718A |
申请公布日期 |
2010.12.15 |
申请号 |
CN201010181858.4 |
申请日期 |
2010.05.25 |
申请人 |
云南大学 |
发明人 |
杨宇;王茺;韦冬;李亮;熊飞 |
分类号 |
H01L21/265(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/265(2006.01)I |
代理机构 |
昆明今威专利代理有限公司 53115 |
代理人 |
杨宏珍 |
主权项 |
一种用Si+自注入制备室温下硅晶体D1线发光材料的方法,其特征在于本方法通过向硅晶体中自注入Si+,获得中心波长处于~1.55μm的室温D1线强发光的硅材料;具体步骤如下:a.用离子注入机将Si+作为注入离子自注入用现有方法处理过的硅基片中,其注入剂量为1012cm 2 1016cm 2,注入能量为100keV 300keV;注入整个过程在真空、室温环境下进行;b.对注入Si+离子的硅基片进行高温炉退火处理,退火温度700 1100℃,退火时间为1 20小时,保护气氛为氮或氩气;退火处理后得到室温D1线强发光的硅材料,硅材料基于缺陷环及缺陷环附近点缺陷的发光。 |
地址 |
650091 云南省昆明市五华区翠湖北路2号 |