精制金属的方法

摘要

本发明披露精制金属的方法，其包括：在第一坩埚中保持含杂质的第一熔融金属的第一步；将第一冷却体浸入保持在第一坩埚内的第一熔融金属中同时使冷却流体流入冷却体内部从而在冷却体的表面上结晶第一精制金属的第二步；从第一熔融金属中取出带有结晶于其上的第一精制金属的第一冷却体的第三步；在坩埚中保持杂质浓度小于第一步的第一熔融金属的第二熔融金属的第四步；使第二步中结晶的第一精制金属熔化并将熔融的金属连同第四步中保持的第二熔融金属一起保持在第二坩埚中的第五步；将第二冷却体浸入在第五步中保持的第二熔融金属中同时使冷却流体流入冷却体内部从而在冷却体的表面上结晶第二精制金属的第六步；以及从第二熔融金属中取出带有第六步中结晶于其上的第二精制金属的第二冷却体的第七步。

主权项

一种精制硅的方法，其包括：在第一坩埚中保持含杂质的第一熔融硅的第一步；将第一冷却体浸入保持在第一坩埚内的第一熔融硅中同时使冷却流体流入冷却体内部从而在冷却体的表面上结晶第一精制硅的第二步；从第一熔融硅中取出带有结晶于其上的第一精制硅的第一冷却体的第三步；在坩埚中保持杂质浓度小于第一步的第一熔融硅的第二熔融硅的第四步；使第二步中结晶的第一精制硅熔化并将该熔融的硅连同第四步中保持的第二熔融硅一起保持在第二坩埚中的第五步；将第二冷却体浸入在第五步中保持的第二熔融硅中同时使冷却流体流入冷却体内部从而在冷却体的表面上结晶第二精制硅的第六步；以及从第二熔融硅中取出带有第六步中结晶于其上的第二精制硅的第二冷却体的第七步；其中通过在第一个坩埚中加入与第一至第五步中结晶的第一精制硅的量相等量的含杂质的硅并熔化，在多次重复第一至第五步的情况下多次进行第六和第七步；其中所述方法进一步包括：在第(m 1)步后在坩埚中保持杂质浓度小于第(m 4)步的熔融硅的第n熔融硅的第m步；使第(m 2)步中结晶的第(n 1)精制硅熔化并将该熔融硅连同第m步中保持的第n熔融硅一起保持在第n坩埚中的第(m+1)步；将第n冷却体浸入在第(m+1)步中保持的熔融硅中同时使冷却流体流入冷却体内部从而在冷却体的表面上结晶第n精制硅的第(m+2)步；以及从第n熔融硅中取出带有第(m+2)步中结晶于其上的第n精制硅的第n冷却体的第(m+3)步；其中进一步多次进行第m至第(m+3)步，其中m＝4(n 1)以及n是3以上的自然数；其中所述杂质是磷，n为5或6，以及在第一至第三熔融硅中加入钙。