| 发明名称 | CMOS结构的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及CMOS结构及其制造方法。一种CMOS结构包括n-FET器件和p-FET器件，所述n-FET器件具有n-FET沟道区域，所述p-FET器件具有p-FET沟道区域。所述n-FET沟道区域包括位于硅-锗合金材料层上的第一硅材料层。所述p-FET沟道包括位于硅-锗-碳合金材料层上的第二硅材料层。所述硅-锗合金材料层在所述n-FET沟道内诱导希望的拉伸应变。所述硅-锗-碳合金材料层抑制了所述p-FET沟道区域内的不希望的拉伸应变。可以通过将碳选择性地并入到形成所述硅-锗合金材料层的硅-锗合金材料中，来形成构成所述硅-锗-碳合金材料层的硅-锗-碳合金材料。 | ||
| 申请公布号 | CN101266978B | 申请公布日期 | 2010.12.15 |
| 申请号 | CN200810082061.1 | 申请日期 | 2008.03.05 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 刘孝诚;R·A·道纳顿;K·里姆 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 于静;李峥 |
| 主权项 | 一种用于制造CMOS结构的方法，包括以下步骤：在衬底之上形成硅 锗合金材料层；选择性地将碳并入到所述硅 锗合金材料层中，以便在所述衬底之上形成硅 锗合金材料子层和横向邻近的硅 锗 碳合金材料子层；在所述硅 锗材料子层上形成第一硅材料子层并在所述横向邻近的硅 锗 碳合金材料层上形成第二硅材料子层；使用所述第一硅材料子层和所述硅 锗合金材料子层作为沟道形成n FET；以及使用所述第二硅材料子层和所述硅 锗 碳合金材料子层作为沟道形成p FET。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||