| 发明名称 | 晶圆上实现离子注入剂量和能量的匹配方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种在晶圆上实现的离子注入剂量和能量的匹配方法，涉及半导体制造领域。该匹配方法包括如下步骤：a.提供一片晶圆，划分为数个区域；b.进行光照步骤，除选定区域外，其他区域被光刻胶覆盖；c.对选定区域以第一条件的剂量和能量组合进行离子注入；d.移除光刻胶；e.继续进行步骤b、c、d，直至所述晶圆的数个区域均进行过以不同条件的剂量和能量组合的离子注入；f.测试所述数个区域的阻值，并与基准值比较，确定测试阻值最接近基准值的区域。与现有技术相比，本发明实现了在一片晶圆上进行匹配测试，降低了成本，另外，在一片晶圆上进行匹配测试，使各个区域的匹配测试的外界条件均是相同的，提高了匹配结果的精确度。 | ||
| 申请公布号 | CN101308763B | 申请公布日期 | 2010.12.15 |
| 申请号 | CN200710040641.X | 申请日期 | 2007.05.15 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 许世勋;袁燕 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人 | 王洁 |
| 主权项 | 一种在晶圆上实现的离子注入剂量和能量的匹配方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：a. 提供一片晶圆，划分为数个区域；b. 进行光照步骤，除选定区域外，其他区域被光刻胶覆盖；c. 对选定区域以第一条件的剂量和能量组合进行离子注入；d. 移除光刻胶；e. 循环进行步骤b、c、d，直至所述晶圆的数个区域均进行过以不同条件的剂量和能量组合的离子注入；f. 测试所述数个区域的阻值，并与基准值比较，确定测试阻值最接近基准值的区域。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||