| 发明名称 | 半导体元件以及半导体元件制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体元件以及半导体元件制造方法，该半导体元件具有由碳化硅构成的半导体基板、形成在所述半导体基板上的栅极绝缘膜以及形成在所述栅极绝缘膜上的栅极电极。所述半导体基板表面中与所述栅极绝缘膜结合的结合面在宏观上平行于非极性面，且微观上由非极性面和极性面构成，在所述极性面中Si面和C面中的任意一个面占优势。本发明的半导体元件具有由碳化硅构成的半导体基板和形成在所述半导体基板上的电极。所述半导体基板表面中与所述电极结合的结合面宏观上平行于非极性面，且微观上由非极性面和极性面构成，在所述极性面中Si面和C面中的任意一个面占优势。本发明是以碳化硅为基板的半导体元件，在碳化硅外延层的非极性面中，能够提高电极-碳化硅界面，或者氧化膜(绝缘膜)-碳化硅界面的电特性和稳定性，而与基板的缺陷密度无关。 | ||
| 申请公布号 | CN101919032A | 申请公布日期 | 2010.12.15 |
| 申请号 | CN200880116660.9 | 申请日期 | 2008.11.11 |
| 申请人 | HOYA株式会社;小林光 | 发明人 | 小林光;长泽弘幸;八田直记;河原孝光 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/161(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/47(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I;H01L29/94(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 岳雪兰 |
| 主权项 | 一种半导体元件，具有由碳化硅构成的半导体基板、形成在所述半导体基板上的栅极绝缘膜以及形成在所述栅极绝缘膜上的栅极电极，该半导体元件的特征在于，所述半导体基板表面中与所述栅极绝缘膜结合的结合面宏观上平行于非极性面，且微观上由非极性面和极性面构成，在所述极性面中Si面和C面中的任意一个面占优势。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||