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一种用来制作生物芯片的硅藻阵列化定位加工方法，其特征在于包括有下列步骤：步骤一：硅藻的预处理将硅藻加入去离子水中搅拌均匀得到第一混合物；用量：1g的硅藻中加入15ml～20ml的去离子水；步骤二：基片的预处理(A)按所需尺寸截取基片，并用去离子水冲洗后放入玻璃容器中；(B)向玻璃容器中加入100ml～1000ml的去离子水，在功率700W～1000W、工作频率28KHz～40KHz的条件下超声清洗10min～30min得到第一预处理基片；(C)将第一预处理基片放入另一玻璃容器中，加入质量浓度为95％的无水乙醇，然后置于超声清洗机中，在功率700W～1000W、工作频率28KHz～40KHz的条件下超声清洗10min～30min后，得到第二预处理基片；(D)将第二预处理基片在温度为90℃～120℃中干燥20min～40min后，取出即得到清洁基片；步骤三：在清洁基片上平铺热熔胶(A)将步骤二处理得到的清洁基片安装在热烘板上，调节热烘板温度至110℃～140℃，并在此温度下保持恒温；然后将固体热熔胶置于清洁基片上，经5min～10min后固体热熔胶被融化平铺在清洁基片上；(B)在20℃～35℃温度下冷却10min～15min后得到热熔胶基片；每平方厘米的清洁基片上使用0.05g～0.15g的固体热熔胶；步骤四：光刻制阵列化图形(A)将经步骤三处理得到的热熔胶基片安装在匀胶机上；在第一转速为500r/min～1000r/min的条件下，滴加入0.5ml～2ml的光刻胶正胶；在第二转速为2500r/min～3500r/min的条件下，匀胶20s～40s后，得到第一复合基片；(B)将第一复合基片安装在热烘板上，调节热烘板温度至110℃～120℃，并在此温度下进行前烘处理2min～3min，得到第二复合基片；(C)将第二复合基片安装在光刻机中，并在第二复合基片上安装具有阵列化图形的掩模；将第二复合基片在紫外线中曝光10s～20s后，得到第三复合基片；(D)将第三复合基片置于质量百分比浓度为70％～95％的显影液中浸泡2s～5s后取出，然后用去离子水中浸泡5s～10s定影后，得到第四复合基片；(E)将第四复合基片安装在热烘板上，调节热烘板温度至120℃～130℃，并在此温度下进行后烘处理1min～2min后取出；(F)在20℃～35℃温度下冷却10min～15min后得到第五复合基片；步骤五：定位硅藻(A)在第五复合基片表面均匀滴加第一混合物，并将其在20℃～35℃温度下静置15min～30min后得到第六复合基片；用量：1平方厘米的第五复合基片上滴加50μl～100μl的第一混合物；(B)将第六复合基片安装在热烘板上，调节热烘板温度至60℃～80℃，并在此温度下静置10min～20min后取出；(C)在20℃～35℃温度下冷却15min～30min后得到第七复合基片；(D)将第七复合基片置于去胶液中浸泡3min～8min后取出，得到复合微流体基片。 |
