| 发明名称 | 一种具有高k栅介质层和硅化物栅电极的半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 描述了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在衬底上形成高k栅介质层，在该高k栅介质层上形成阻挡层，和在该阻挡层上形成全硅化物栅电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1873922B | 申请公布日期 | 2010.12.15 |
| 申请号 | CN200510129150.3 | 申请日期 | 2005.11.02 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | M·多茨;J·布拉斯克;J·卡瓦利罗斯;M·梅茨;S·达塔;R·仇 |
| 分类号 | H01L21/283(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/283(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 梁永 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成高k栅介质层；在该高k栅介质层上形成阻挡层；以及在该阻挡层上形成全硅化物栅电极。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||