发明名称 |
Ⅲ族氮化物结晶的制造方法及Ⅲ族氮化物结晶的制造装置 |
摘要 |
一种III族氮化物结晶的制造方法、III族氮化物结晶的制造装置及III族氮化物结晶,III族氮化物结晶的制造方法是将保持含有III族金属和助熔剂的混合熔液的熔液保持容器收容于反应容器内,并经配管自外部向所述反应容器内供给含氮的物质,同时制造III族氮化物结晶的方法,其中,该方法中设有如下工序,在所述熔液保持容器内使III族氮化物结晶成长之前,在所述配管内形成金属熔液的滞留部,并利用该滞留部将所述配管暂时堵塞。 |
申请公布号 |
CN101175875B |
申请公布日期 |
2010.12.15 |
申请号 |
CN200680016083.7 |
申请日期 |
2006.05.12 |
申请人 |
株式会社理光 |
发明人 |
皿山正二;岩田浩和;布施晃广 |
分类号 |
C30B29/38(2006.01)I;C30B9/10(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/38(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
陶凤波 |
主权项 |
一种III族氮化物结晶的制造方法,将保持有含III族金属和助熔剂的混合熔液的熔液保持容器收纳于反应容器内,经配管将含氮的物质从外部向所述反应容器内供给,同时制造III族氮化物结晶,其特征在于,含有在使III族氮化物结晶在所述熔液保持容器内成长之前,在所述配管内形成金属熔液的滞留部,利用该滞留部暂时堵塞所述配管的工序。 |
地址 |
日本东京都 |