发明名称 |
互补金属氧化物半导体图像传感器及用其的图像传感方法 |
摘要 |
示例实施例可以提供一种CMOS图像传感器。该CMOS图像传感器可以包括多个单元块,每个单元块包括两个单元像素。每个单元块可以包括:两个具有六边形形状的光电二极管;由两个单元像素共享的浮置扩散;分别在浮置扩散与所述两个光电二极管之间的第一转移晶体管与第二转移晶体管;连接到浮置扩散的重置晶体管;栅极与浮置扩散连接的驱动晶体管;和/或与驱动晶体管串联的选择晶体管。示例实施例CMOS图像传感器可以用于数字相机、移动设备、计算机相机等等。 |
申请公布号 |
CN101110439B |
申请公布日期 |
2010.12.15 |
申请号 |
CN200710128377.5 |
申请日期 |
2007.07.10 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
崔成浩;安正查;金利泰;金永灿;孔海庆 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H04N5/335(2006.01)I;H04N3/15(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
邵亚丽;钱大勇 |
主权项 |
一种CMOS图像传感器,具有多个单元块,该多个单元块中的每个单元块具有两个单元像素,每个单元块包括:两个具有六边形形状的光电二极管;由两个单元像素共享的浮置扩散;分别在浮置扩散与所述两个光电二极管之间的第一转移晶体管与第二转移晶体管;连接到浮置扩散的重置晶体管;栅极连接到浮置扩散的驱动晶体管;以及与驱动晶体管串联的选择晶体管,其中多个具有六边形形状的两个光电二极管形成蜂窝结构,其中单元块中的两个单元像素包括在蜂窝结构中的第k列及第n行上的第一单元像素以及在蜂窝结构中的第k列及第n+2行上的第二单元像素,其中“k”与“n”为正整数。 |
地址 |
韩国京畿道 |