高功率单模输出的微型半导体激光二极管及其制造方法

摘要

本发明高功率单模输出的微型半导体激光二极管及其制造方法，公开了一种非矩形谐振腔半导体激光二极管及其制造方法。谐振腔的两端与垂直出光端面靠近部分呈矩形单通道波导结构，谐振腔中间部分包括至少一个通道的波导结构，在保持谐振腔直线总长度不变以及激光二级管体积不变的情况下增加激光二极管的峰值光输出功率，使得在同尺寸衬底上的芯片产品率得到提高，从而降低产品的成本，为高密度集成光路和超小集成空间但要求高光功率的特殊应用提供解决方案。

主权项

一种高功率单模输出的微型半导体激光二极管，其发光层包夹在n型和p型包覆层之间，p型包覆层分两层，第二p型包覆层和之上的p型接触层呈脊型结构，电流阻碍层形成在脊型壁面以及两个p型包覆层之间的刻蚀阻挡层上，同时p型电极覆盖在p型接触层和电流阻碍层之上，而n型电极与衬底形成接触；其特征在于激光二极管的谐振腔呈非矩形结构。