发明名称 |
微电子机械系统微桥结构及其制造方法 |
摘要 |
本发明提出微电子机械系统微桥结构及其制造方法,该结构,包括:半导体衬底;金属层,其间隔设置于所述半导体衬底上;介质层,设置于所述金属层之间;牺牲层,设置于所述金属层和介质层上。其中,所述牺牲层为非晶硅牺牲层,且为多层复合结构。本发明使用多步工艺形成牺牲层,不仅可以解决牺牲层与相邻材料的接触问题,也可以满足非晶硅表面形貌及相关集成要求,同时也充分降低热过程可控,降低高温热过程对前面工艺和器件的影响,从而提高相关MEMS产品的性能、成品率和可靠性。 |
申请公布号 |
CN101913550A |
申请公布日期 |
2010.12.15 |
申请号 |
CN201010250514.4 |
申请日期 |
2010.08.11 |
申请人 |
上海集成电路研发中心有限公司;浙江大立科技股份有限公司 |
发明人 |
李佳青;康晓旭;袁超;池积光 |
分类号 |
B81B3/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I |
主分类号 |
B81B3/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
郑玮 |
主权项 |
一种微电子机械系统微桥结构,其特征在于,包括:半导体衬底;金属层,其间隔设置于所述半导体衬底上;介质层,设置于所述金属层之间;牺牲层,设置于所述金属层和介质层上,所述牺牲层为非晶硅牺牲层,且为多层复合结构。 |
地址 |
201210 上海市张江高斯路497号 |