半导体装置的制造方法及基板处理系统

摘要

本发明提供能够制造电气特性和可靠性优良的半导体装置的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法包括：在形成于半导体基板上的被蚀刻膜的表面，形成具有规定的电路图案的蚀刻掩模的工序；经由所述蚀刻掩模蚀刻所述被蚀刻膜，在所述蚀刻膜上形成槽或孔的工序；至少包含利用含有臭氧的气体进行的处理，除去所述蚀刻掩模的工序；以及通过供给规定的恢复气体，使到所述除去工序为止的工序对所述被蚀刻膜所带来的损伤进行恢复的工序。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：在形成于半导体基板上的被蚀刻膜的表面上形成具有规定的电路图案的蚀刻掩模的工序；经由所述蚀刻掩模蚀刻所述被蚀刻膜，在所述被蚀刻膜上形成槽或孔的工序；至少包含利用含有臭氧的气体进行的处理除去所述蚀刻掩模的除去工序；以及通过供给规定的恢复气体，使因实施至所述除去工序为止的工序而对所述被蚀刻膜带来的损伤进行恢复的工序，所述蚀刻掩模的除去工序通过如下方式进行：在按照能够溶解于纯水或者药液的方式利用含有臭氧的处理气体使所述蚀刻掩模改性后，利用所述纯水或者所述药液使已被改性的所述蚀刻掩模溶解，从而完成所述蚀刻掩模的除去，所述恢复损伤的工序由使用甲硅烷基化气体作为恢复气体的甲硅烷基化处理来进行，在供给所述甲硅烷基化气体之前，还包括：将所述半导体基板加热到第一温度使残存于所述半导体基板上的水分去除的工序，所述甲硅烷基化处理，使用在分子内具有硅氮烷结合Si N的化合物作为恢复气体来进行，所述在分子内具有硅氮烷结合Si N的化合物为TMSDMA。