发明名称 |
可消除挥发份在热屏外侧沉积的单晶炉热场 |
摘要 |
本发明涉及硅单晶炉设备技术领域,特别是一种可消除挥发份在热屏外侧沉积的单晶炉热场。它包括炉腔、炉腔内具有保温筒、热屏装置和坩埚,保温筒包围在坩埚外侧,热屏装置盖设在保温筒上形成封闭式热场,通入炉腔上部的保护气体通过热屏装置向下进入坩埚,然后通过热屏装置与坩埚之间的间隙向上流动进入热屏装置与保温筒所围形成的保温腔,在热屏装置上开设导气孔,保护气体直接通过导气孔进入保温腔上部,导气孔的两端开口高于坩埚上沿。通过在热屏装置上开设导气孔,引导小部分保护气体进入热屏装置与保温筒之间的顶部空间,改善热屏装置与保温筒间隙内的气流结构,避免富含挥发份的气体在该处滞留以及挥发份在该处避免上的沉积。 |
申请公布号 |
CN101914808A |
申请公布日期 |
2010.12.15 |
申请号 |
CN201010232685.4 |
申请日期 |
2010.07.19 |
申请人 |
常州天合光能有限公司 |
发明人 |
张志强;黄振飞;黄强;袁为进 |
分类号 |
C30B15/14(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I |
主分类号 |
C30B15/14(2006.01)I |
代理机构 |
常州市维益专利事务所 32211 |
代理人 |
王凌霄 |
主权项 |
一种可消除挥发份在热屏外侧沉积的单晶炉热场,包括炉腔(1)、炉腔(1)内具有保温筒(2)、热屏装置和坩埚(3),保温筒(2)包围在坩埚(1)外侧,热屏装置盖设在保温筒(2)上形成封闭式热场,通入炉腔(1)上部的保护气体通过热屏装置向下进入坩埚(3),然后通过热屏装置与坩埚(3)之间的间隙向上流动进入热屏装置与保温筒(2)所围形成的保温腔,其特征是:在所述的热屏装置上开设导气孔(4),保护气体直接通过导气孔(4)进入保温腔上部,导气孔(4)的两端开口高于坩埚(3)上沿。 |
地址 |
213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 |