Ⅲ-V发光器件

摘要

一种半导体结构，包括n型区、p型区和布置在n型区和p型区之间的III-氮化物发光层。所述III-氮化物发光层具有大于3.19ú的晶格常数。这种半导体结构可以在衬底上生长，所述衬底包括基质和与所述基质粘结的种子层。在某些实施例中，粘结层把基质粘结到种子层。种子层比用于松弛半导体结构中的应变的临界厚度更薄，如此使得半导体结构中的应变通过在种子层中形成的位错而减轻，或者通过在种子层和粘结层之间滑动两个层之间的界面来减轻。在某些实施例中，可以通过蚀刻掉粘结层来使所述基质与半导体结构和种子层分离。

主权项

一种结构，包括：基质衬底；InGaN种子层；以及粘结层，设置在所述InGaN种子层与所述基质衬底之间；其中所述InGaN种子层包括III 氮化物材料能够在其上成核的表面。