发明名称 锁离合状态采集电路及集成该电路的射频识别电子标签
摘要 本发明涉及锁离合状态采集电路及集成该锁离合状态采集电路的射频识别电子标签。包括开关(S1)、第一NMOS管(MR1)、第二NMOS管(MR2)、第三NMOS管(MR3)、第四NMOS管(MR4)、PMOS管(T1)、三极管(T2)、第五NMOS管(T3)、电源电池(B1)、触发器(D1)和直流-直流电压转换电路。本发明的有益效果:本发明的锁离合状态采集电路具有低功耗和抗干扰的优点,并且可以集成在电子标签内部,因此锁离合状态采集电路可以比较容易的和电子标签结合作为物流行业中集装箱、保险箱流转的物联网监控节点,能及时的监控集装箱、保险箱的锁离合状态,保证了集装箱、保险箱流转的安全性。
申请公布号 CN101915025A 申请公布日期 2010.12.15
申请号 CN201010246841.2 申请日期 2010.08.06
申请人 电子科技大学 发明人 王耀;咸凛;文光俊
分类号 E05B49/00(2006.01)I;G06K19/07(2006.01)I 主分类号 E05B49/00(2006.01)I
代理机构 电子科技大学专利中心 51203 代理人 周永宏
主权项 锁离合状态采集电路,包括开关(S1)、第一NMOS管(MR1)、第二NMOS管(MR2)、第三NMOS管(MR3)、第四NMOS管(MR4)、PMOS管(T1)、三极管(T2)、第五NMOS管(T3)、电源电池(B1)、触发器(D1)和直流 直流电压转换电路,所述电源电池(B1)是从外部接入整体电路;所述第一NMOS管(MR1)栅极和漏极相连接后,再与电池(B1)正极相连;所述第一NMOS管(MR1)源极与开关(S1)的第一端(a)相连接;所述第二NMOS管(MR2)栅极和漏极相连接后,再与开关(S1)的第二端(b)连接;所述第二NMOS管(MR2)源极连接到地;所述第三NMOS管(MR3)栅极和漏极相连接后,再与PMOS管(T1)漏极相连接;所述第三NMOS管(MR3)源极与三极管(T2)基极相连接;所述第四NMOS管(MR4)栅极和漏极相连接后,再与电池(B1)正极相连接;所述第四NMOS管(MR4)源极与三极管(T2)集电极相连接;所述三极管(T2)基极和开关(S1)的第二端(b)相连接;所述三极管(T2)集电极和PMOS管(T1)栅极连接;所述三极管(T2)基极和第五NMOS管(T3)漏极连接;所述PMOS管(T1)的源极和第四NMOS管(MR4)的栅极和漏极相连接;所述PMOS管(T1)漏极和直流 直流电压转换电路的电源端(I)相连接;所述第五NMOS管(T3)源极连接到地;所述第五NMOS管(T3)栅极与触发器(D1)的数据输出端(Q)相连接;所述的触发器(D1)的数据输入端(D)与开关(S1)的第二端(b)相连接;所述触发器(D1)的时钟输入端(CP)输入射频识别电子标签的数字基带处理器的电压控制信号(power_control);所述触发器(D1)的电源端(VDD)与锁离合信号开关(S1)的第二端(b)相连接;所述直流 直流(DC DC)电压转换电路电压输入端(I)连接至PMOS管(T1)漏极;所述直流 直流(DC DC)电压转换电路接地输入端(J)连接到地;所述的直流 直流(DC DC)电压转换电路分别向射频识别电子标签的射频模拟前端输出低电平工作电压和高电平工作电压,向射频识别电子标签的数字基带处理器输出第一锁离合信号(switch_on)和第二锁离合信号(key_opened)。
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
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