发明名称 聚合物-陶瓷电介质组合物、埋入式电容器及印刷电路板
摘要 本发明涉及聚合物-陶瓷电介质组合物。该聚合物-陶瓷电介质组合物包括聚合物以及分散于聚合物中的陶瓷,其中陶瓷由具有表示为ABO3的钙钛矿结构的材料以及金属氧化物掺杂剂组成,并具有带电的表面。根据该电介质组合物,陶瓷表面带电以便在聚合/陶瓷界面诱导空间电荷极化(或界面极化),导致介电常数增大。由于该电介质组合物尤其在低频范围具有高介电常数,它适合用于制造去耦电容器。本文进一步披露了使用该电介质组合物的电容器和印刷电路板。
申请公布号 CN1959859B 申请公布日期 2010.12.15
申请号 CN200610138014.5 申请日期 2006.11.02
申请人 三星电机株式会社 发明人 高旼志;朴殷台
分类号 H01B3/00(2006.01)I;H01B3/12(2006.01)I;H01B3/40(2006.01)I;H01B3/42(2006.01)I;H01B3/44(2006.01)I;C04B35/462(2006.01)I;C04B35/468(2006.01)I;C04B35/01(2006.01)I;C08L63/00(2006.01)I;C08L79/08(2006.01)I;C08L69/00(2006.01)I;C08L23/06(2006.01)I;C08L67/02(2006.01)I;C08L23/12(2006.01)I;C08L25/06(2006.01)I;C08L71/02(2006.01)I;C08L77/00(2006.01)I;H01G4/40(2006.01)I;H05K1/16(2006.01)I;H05K1/03(2006.01)I;H05K3/46(2006.01)I 主分类号 H01B3/00(2006.01)I
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人 李伟
主权项 一种聚合物 陶瓷电介质组合物,包括聚合物以及分散在聚合物中的陶瓷,其中所述陶瓷由具有表示为ABO3的钙钛矿结构的材料以及金属氧化物掺杂剂组成,其中,所述金属氧化物掺杂剂的金属具有与所述B位置元素相似的原子半径和不同的化合价,并且置换所述B位置元素,从而使所述陶瓷的表面带电,并且在所述聚合物与所述陶瓷之间的界面处诱导界面极化。
地址 韩国京畿道