制备p型氧化锌半导体体材料的方法

摘要

本发明涉及制备P型氧化锌半导体体材料的方法，是以摩尔百分比为95％～99.9％ZnO和5％～0.1％Sb的混合粉体为原料，在压力为2～5.4GPa、温度为1400～1600℃条件下热压烧结制得p型ZnO多晶体体材料。该方法制备的P型ZnO半导体体材料，其载流子浓度为1.0×1013～21cm-3，电阻率为1×100.01-3Ω.cm，迁移率为0.01～13cm2.V-1.S-1。本发明方法所获得的p型ZnO多晶体的半导体体材料结晶质量好；制备重复性好；适于工业化生产，为光电器件制造技术领域提供了特别适用的优质新材料。

主权项

一种制备p型氧化锌半导体体材料的方法，其特征在于，是以摩尔百分比为95％～99.9％ZnO和5％～0.1％Sb的混合粉体为原料，将该混合粉体预压成型后装入叶腊石模块腔体内，在六面顶压机压力室中，在压力为2～5.4GPa、温度为1400～1600℃条件下保温保压20分钟，即获得p型ZnO多晶体体材料。