CuxO电阻随机存储器的制备方法

摘要

本发明提供的一种CuxO电阻存储器的制备方法，属于存储器技术领域，所述CuxO电阻存储器的制备方法包括通过活性气体对所述CuxO电阻存储薄膜进行表面改性处理的特征步骤。通过对CuxO薄膜的表面改性处理，改变表面缺陷分布，使CuxO电阻存储器件具有稳定的操作电压、提高存储性能。本发明方法可与现有集成电路工艺兼容，成本低。

主权项

一种电阻随机存储器的制造方法，首先在衬底上构图形成Cux0电阻存储薄膜，1＜x≤2，其特征在于包括步骤：通过活性气体，对所述Cux0电阻存储薄膜进行表面改性处理；所述衬底是硅衬底上形成的铜薄膜，作为下电极；所述表面改性处理是指活性气体等离子体轰击处理或活性气体气氛退火处理。