计算加热区域的温度变化的方法和装置

摘要

本发明公开了一种计算加热区域的温度变化的方法，用于磁共振监控的高强度聚焦超声HIFU治疗，该方法包括：对HIFU治疗头在两个或两个以上位置时生成的参考像进行插值，得到HIFU治疗头移动位置的参考像；根据所述HIFU治疗头移动位置的插值参考像的相位图和HIFU治疗头在该位置时生成的加热图像计算加热区域的温度变化。本发明还公开了一种计算加热区域的温度变化的装置，该装置包括参考像插值单元和温度计算单元。使用了本发明的方法和装置，能够显著减小HIFU治疗头的移动中由于磁化率的变化导致的温度误差，既能得到准确的加热区域的温度变化，同时减小HIFU治疗中操作的复杂程度和治疗时间。

主权项

一种计算加热区域的温度变化的方法，用于磁共振监控的高强度聚焦超声HIFU治疗，其特征在于，包括：对HIFU治疗头在两个以上位置时生成的参考像进行插值，得到HIFU治疗头移动位置的参考像的相位图；根据所述HIFU治疗头移动位置的参考像的相位图和HIFU治疗头在该位置时生成的加热图像计算加热区域的温度变化；其中，所述根据HIFU治疗头移动位置的参考像的相位图和HIFU治疗头在该位置时生成的加热图像计算加热区域的温度变化包括：按照下式计算加热区域的温度变化：Tmap＝(Φx Φ_rx)/(γ·α·BO·TE)，其中Tmap为所述HIFU治疗头在移动位置上加热区域的温度变化图，Φx为所述HIFU治疗头在移动位置时生成的加热图像的相位图，Φ_rx为所述计算出的HIFU治疗头在移动位置时的参考像的相位图，γ为质子的旋磁比，α为水中质子的温度频率系数，B0为静磁场强度，TE为回波时间。