| 发明名称 | 制造超结器件中的多个管芯的多向开槽 | ||
| 摘要 | 一种制造超结器件的方法，包括：提供具有多个管芯(320a、321a)的半导体晶片。在第一管芯(320a)中形成具有第一取向的第一多个沟槽(323a)。在第二管芯(321a)中形成具有第二取向的第二多个沟槽。第二取向不同于第一取向。 | ||
| 申请公布号 | CN101919059A | 申请公布日期 | 2010.12.15 |
| 申请号 | CN200880113873.6 | 申请日期 | 2008.09.26 |
| 申请人 | 艾斯莫斯技术有限公司 | 发明人 | 石黑毅;休·J·格里芬;杉浦贤二 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 关兆辉;谢丽娜 |
| 主权项 | 一种制造超结器件的方法，所述方法包括：(a)提供半导体晶片，所述半导体晶片包括多个管芯；(b)在至少一个第一管芯中形成第一多个沟槽，所述第一多个沟槽中的每个都具有第一取向；以及(c)在至少一个第二管芯中形成第二多个沟槽，所述第二多个沟槽中的每个都具有与所述第一取向不同的第二取向。 | ||
| 地址 | 英国北爱尔兰 | ||