| 发明名称 | 一种易于释放晶片的静电吸盘结构及方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种易于释放晶片的静电吸盘，包含基座和设置在基座顶部的介电层；介电层上放置有晶片，在介电层与晶片之间产生有吸持固定晶片的静电引力；其特征在于，介电层中设置有提升介电层温度的若干加热体，来减小介电层与晶片之间的静电引力。将介电层分区并分别嵌设不同钨丝结构的加热体，使钨丝分别与电源电流相同或不相同的直流电源连接后发热，能够使介电层和晶片的表面温度迅速提高，在不增加散热时间的情况下，有效减小介电层和晶片间的静电引力，帮助晶片快速地解吸释放；介电层分区的设置，还能够实现对不同分区温度的分别控制，因而在与该若干分区分别接触的晶片区域获得不同的晶片温度。 | ||
| 申请公布号 | CN101916738A | 申请公布日期 | 2010.12.15 |
| 申请号 | CN201010222235.7 | 申请日期 | 2010.07.08 |
| 申请人 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 发明人 | 凯文·皮尔斯 |
| 分类号 | H01L21/683(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/683(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人 | 徐雯琼 |
| 主权项 | 一种易于释放晶片的静电吸盘，包含基座(110)和设置在基座(110)顶部的介电层(120)；所述介电层(120)上放置有晶片(200)，在介电层(120)与晶片(200)之间产生有吸持固定所述晶片(200)的静电引力；其特征在于，所述介电层(120)中设置有提升所述介电层(120)温度的若干加热体(130)，来减小所述介电层(120)与晶片(200)之间的静电引力。 | ||
| 地址 | 201201 上海市浦东金桥出口加工区(南区)泰华路188号 | ||