| 发明名称 | 一种有效避免闩锁效应的可控硅ESD保护结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种有效避免闩锁效应的可控硅ESD保护结构，所述有效避免闩锁效应的可控硅ESD保护结构包括可控硅器件以及与所述可控硅器件相连的控制电路，所述控制电路控制所述可控硅器件的通断，由于所述控制电路的控制作用，使得所述可控硅器件在静电泄放完毕后能及时关闭，有效地避免了可控硅器件的闩锁效应，从而避免了半导体芯片的损坏。 | ||
| 申请公布号 | CN101916760A | 申请公布日期 | 2010.12.15 |
| 申请号 | CN201010187380.6 | 申请日期 | 2010.05.28 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 胡剑 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种有效避免闩锁效应的可控硅ESD保护结构，其特征在于，包括可控硅器件以及与所述可控硅器件相连的控制电路，所述控制电路控制所述可控硅器件的通断。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江高科技园区郭守敬路818号 | ||