| 发明名称 | 高压半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种高压半导体器件及其制造方法，所述器件，包括：基底；形成于所述基底中的第一阱区和第二阱区；形成于所述第一阱区中的源区；形成于所述第二阱区中的漏区；覆盖于所述基底表面的场氧化层和栅氧化层；设置于所述源区和漏区之间、形成于所述场氧化层和栅氧化层上的栅极；形成于所述栅极下面的基底表面内的调节注入区，所述调节注入区距离漏端鸟嘴为第一长度。上述高压半导体器件及其制造方法能够降低高压半导体器件的导通电阻和衬底电流，改善高压晶体管的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101916775A | 申请公布日期 | 2010.12.15 |
| 申请号 | CN201010222959.1 | 申请日期 | 2010.07.09 |
| 申请人 | 上海新进半导体制造有限公司 | 发明人 | 胡林辉;吴健;刘先锋 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 逯长明;王宝筠 |
| 主权项 | 一种高压半导体器件，其特征在于，包括：基底；形成于所述基底中的第一阱区和第二阱区；形成于所述第一阱区中的源区；形成于所述第二阱区中的漏区；覆盖于所述基底表面的场氧化层和栅氧化层；设置于所述源区和漏区之间、形成于所述场氧化层和栅氧化层上的栅极；形成于所述栅极下面的基底表面内的调节注入区，所述调节注入区距离漏端鸟嘴为第一长度。 | ||
| 地址 | 200241 上海市徐汇区宜山路800号 | ||