抑制浮体效应的SOI MOS器件结构的制作方法

摘要

本发明公开了一种抑制SOI浮体效应的MOS结构的制作方法。本发明方法制作的SOI MOS结构，其有源区包括：体区、N型源区、N型漏区、重掺杂P型区；其N型源区由硅化物和与之相连的N型Si区两部分组成；所述重掺杂P型区位于硅化物与绝缘埋层之间，并分别与硅化物、体区、绝缘埋层及浅沟槽隔离结构相接触。制作时先通过离子注入的方法形成重掺杂P型区，再在源区的部分表面形成一层金属，通过热处理使金属与其下的Si材料反应生成硅化物。本发明通过硅化物与下方的重掺杂P区形成欧姆接触，释放SOI MOS器件在体区积累的空穴，从而抑制SOI MOS器件的浮体效应，并具有不增加芯片面积，制造工艺简单与常规CMOS工艺相兼容等优点。

主权项

一种抑制SOI浮体效应的MOS器件结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、在具有绝缘埋层的Si材料上制作浅沟槽隔离结构，隔离出有源区，并在有源区上制作栅区；步骤二、进行高剂量的源区轻掺杂和漏区轻掺杂，形成高浓度的轻掺杂N型源区和轻掺杂N型漏区，所述高剂量的源区轻掺杂和漏区轻掺杂的注入剂量达到1e15/cm2的量级，所述高浓度的轻掺杂N型源区和轻掺杂N型漏区的浓度达到1e19/cm3的量级；步骤三、在栅区周围制作侧墙隔离结构，所述侧墙隔离结构将轻掺杂N型源区和轻掺杂N型漏区的部分表面覆盖，然后通过离子注入的方法，从未被覆盖的轻掺杂N型源区和轻掺杂N型漏区表面向下注入离子，在轻掺杂N型源区下方形成重掺杂的P型区域；步骤四、进行一次源区和漏区离子注入，形成N型Si材料源区和N型漏区，在所述N型Si材料源区和N型漏区之间形成体区，在N型Si材料源区和绝缘埋层之间保留部分重掺杂的P型区域成为重掺杂P型区；步骤五、在N型Si材料源区的部分表面形成一层金属，然后通过热处理使该金属与其下的Si材料反应生成硅化物，并使该硅化物与所述重掺杂P型区接触，而剩余的未与该金属反应的Si材料成为N型Si区，生成的硅化物和N型Si区构成N型源区，最终完成MOS器件结构。