| 发明名称 | 显示装置、其制造方法及溅射靶 | ||
| 摘要 | 本发明开发一种铝合金膜，并提供一种具有该铝合金膜的显示装置，所述铝合金膜在用于显示装置的薄膜晶体管基板的配线构造中可以使铝合金薄膜与透明像素电极直接接触，同时可以兼顾低电阻率和耐热性，改善对薄膜晶体管的制造工序中使用的胺系剥离液及碱性显影液的腐蚀性。本发明涉及一种显示装置，其为氧化物导电膜和Al合金膜直接接触、Al合金成分的至少一部分在所述Al合金膜的接触表面析出而存在的显示装置，其中，所述Al合金膜包含至少1种选自Ni、Ag、Zn及Co中的元素(元素X1)、以及至少1种可以与所述元素X1形成金属间化合物的元素(元素X2)，形成最大直径150nm以下的由X1-X2及Al-X1-X2中的至少一方表示的金属间化合物。 | ||
| 申请公布号 | CN101918888A | 申请公布日期 | 2010.12.15 |
| 申请号 | CN200980102063.5 | 申请日期 | 2009.03.31 |
| 申请人 | 株式会社神户制钢所 | 发明人 | 后藤裕史;南部旭;中井淳一;奥野博行;越智元隆;三木绫 |
| 分类号 | G02F1/1343(2006.01)I;C22C21/00(2006.01)I;C22F1/04(2006.01)I;G09F9/30(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | G02F1/1343(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 李贵亮 |
| 主权项 | 一种显示装置，其为氧化物导电膜和Al合金膜直接接触、Al合金成分的至少一部分析出并存在于所述Al合金膜的接触表面的显示装置，其中，所述Al合金膜包含至少1种选自Ni、Ag、Zn及Co中的元素X1、以及至少1种可以与所述元素X1形成金属间化合物的元素X2，形成有最大直径150nm以下的由X1 X2及Al X1 X2中的至少一方表示的金属间化合物。 | ||
| 地址 | 日本兵库县 | ||