发明名称 |
具有选择性发射级太阳能电池片 |
摘要 |
一种具有选择性发射级太阳能电池片,它由硅片、金字塔绒面、电极槽、重掺杂层、轻掺杂层、减反射膜、背银电极、铝背场和栅银电极组成,电极槽开设在硅片的上表面,重掺杂层扩散在电极槽中,在硅片上表面的金字塔绒面上扩散有轻掺杂层,栅银电极印制在电极槽中的重掺杂层上,在轻掺杂层的上表面沉积有减反射膜,在硅片的下表面上分别印制有背银电极和铝背场。这种结构的太阳能电池具有选择性发射级,提高了电池片的转换效率,与现有同类产品相比,平均光电转化效率提高2%~3%,达到18%以上,使光伏产业给社会带来更大的收益,它解决了晶体硅电池光电转化效率偏低的技术问题。 |
申请公布号 |
CN201673918U |
申请公布日期 |
2010.12.15 |
申请号 |
CN201020192827.4 |
申请日期 |
2010.05.18 |
申请人 |
常州亿晶光电科技有限公司 |
发明人 |
孙剑波;孙铁囤;叶庆好 |
分类号 |
H01L31/052(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/052(2006.01)I |
代理机构 |
常州市维益专利事务所 32211 |
代理人 |
周祥生 |
主权项 |
一种具有选择性发射级太阳能电池片,其特征是:它由硅片(1)、金字塔绒面(2)、电极槽(3)、重掺杂层(4)、轻掺杂层(5)、减反射膜(6)、背银电极(7)、铝背场(8)和栅银电极(9)组成,在硅片(1)的两侧面均制有金字塔绒面(2),电极槽(3)开设在硅片(1)的上表面,重掺杂层(4)扩散在电极槽(3)中,重掺杂层(4)的方块电阻小于30Ω/□;在硅片(1)上表面的金字塔绒面(2)上扩散有轻掺杂层(5),轻掺杂层(5)的方块电阻大于100Ω/□;栅银电极(9)印制在电极槽(3)中的重掺杂层(4)上,在轻掺杂层(5)的上表面沉积有减反射膜(6),在硅片(1)的下表面上分别印制有背银电极(7)和铝背场(8),背银电极(7)和铝背场(8)都与金字塔绒面(2)粘连为一体。 |
地址 |
213200 江苏省金坛市尧塘镇金武路18号 |