发明名称 半导体晶片的保护膜的形成装置
摘要 本发明提供半导体晶片的保护膜的形成装置,其在半导体晶片的表面以均匀的厚度形成紫外线固化树脂的保护膜,该半导体晶片的保护膜的形成装置包括:机台和定盘,其具有上下贯通且能够通过紫外线的开口;光反射体,其安装在上述定盘的下部并将紫外线向上方反射;紫外线照射单元,其安装在该光反射体的下部并将紫外线向上方照射;升降部件,其能够升降地配置在上述定盘的上方位置;紫外线透过性的受压部件,其在上述定盘的上表面以覆盖上述开口的方式被安装,且具有能够载置上述半导体晶片的平坦状的上表面;加压部件,其位于上述升降部件的下侧,经由角度调整单元并且与上述受压部件相对地安装于该升降部件,且具有平坦状的下表面;以及电动气缸,其使上述升降部件升降。
申请公布号 CN101919034A 申请公布日期 2010.12.15
申请号 CN200980102436.9 申请日期 2009.05.14
申请人 新东工业株式会社 发明人 冈南成幸
分类号 H01L21/56(2006.01)I;H01L21/312(2006.01)I 主分类号 H01L21/56(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 王轶;李伟
主权项 一种半导体晶片的保护膜的形成装置,其在半导体晶片的表面形成由紫外线固化树脂形成的保护膜,该半导体晶片的保护膜的形成装置的特征在于,包括:机台和定盘,其具有上下贯通且能够通过紫外线的开口;光反射体,其安装在所述定盘的下部并将紫外线向上方反射;紫外线照射单元,其安装在该光反射体的下部并将紫外线向上方照射;升降部件,其能够升降地配置在所述定盘的上方位置;紫外线透过性的受压部件,其在所述定盘的上表面以覆盖所述开口的方式被安装,且具有能够载置所述半导体晶片的平坦状的上表面;加压部件,其位于所述升降部件的下侧,经由角度调整单元并且与所述受压部件相对地安装于该升降部件,且具有平坦状的下表面;以及电动气缸,其使所述升降部件升降。
地址 日本爱知县