发明名称 |
一种基于半导体层的电荷感应成像方法 |
摘要 |
本发明涉及一种基于半导体层的电荷感应成像方法,1)将光电成像器件的荧光屏换成带衬底的半导体层,在半导体层的衬底背面的真空外侧设置位敏阳极,所述半导体层的方块电阻范围为100MΩ/□~1000MΩ/□;2)光电成像器件的光电变换部分接收测量目标的光信号,发射光电子进入电子光学系统,经聚焦后进入微通道板倍增,形成电子云;3)电子云经过电场加速后轰击微通道板后的半导体层;4)半导体层上的电荷通过电荷感应由半导体层衬底背面的位敏阳极收集;5)通过位敏阳极外接电子读出电路和计算机图像输出电路实现成像探测。本发明解决了现有的技术成像质量差、真空封装难、阳极更换不方便的技术问题。 |
申请公布号 |
CN101478645B |
申请公布日期 |
2010.12.15 |
申请号 |
CN200810184963.6 |
申请日期 |
2008.12.20 |
申请人 |
中国科学院西安光学精密机械研究所 |
发明人 |
赵宝升;赵菲菲;赛小锋;张兴华;韦永林;刘永安;朱香平;鄢秋荣 |
分类号 |
H04N5/335(2006.01)I;H01J31/26(2006.01)I;H01J31/48(2006.01)I |
主分类号 |
H04N5/335(2006.01)I |
代理机构 |
西安智邦专利商标代理有限公司 61211 |
代理人 |
王少文 |
主权项 |
一种基于半导体层的电荷感应成像方法,其特征在于:1]将光电成像器件的荧光屏换成带衬底(6)的半导体锗层(5),在半导体锗层(5)的衬底(6)背面的真空外侧设置位敏阳极(7),所述半导体锗层(5)的方块电阻范围为100MΩ/□~1000MΩ/□;2]光电成像器件的光电变换部分(2)接收测量目标的光信号,发射光电子进入电子光学系统(3),经聚焦后进入微通道板(4)倍增,形成电子云;3]电子云经过电场加速后轰击微通道板(4)后的半导体锗层(5);4]半导体锗层(5)上的电荷通过电荷感应由半导体锗层(5)衬底(6)背面的位敏阳极(7)收集;5]通过位敏阳极外接电子读出电路(9)和计算机图像输出电路(10)实现成像探测。 |
地址 |
710119 陕西省西安市高新区新型工业园信息大道17号 |