PROCEDE D'INTEGRATION DE MICRO-INTERRUPTEURS DE TYPE MEMS SUR DES SUBSTRATS EN GAN COMPORTANT DES COMPOSANTS ELECTRONIQUES DE PUISSANCE

摘要

Le domaine général de l'invention est celui des procédés de réalisation des modules électroniques comprenant d'une part des composants électroniques de puissance (3) réalisés sur substrat (1) en nitrure de gallium (GaN) et d'autre part des micro-interrupteurs (10) à activation électrostatique de type MEMS (Micro Electro Mechanical System). Les composants électroniques et les micro-interrupteurs selon l'invention sont réalisés sur un seul substrat en nitrure de gallium et le procédé de réalisation comporte au moins les étapes suivantes : • Etape 1 : Réalisation des composants de puissance (3) sur le substrat en nitrure de gallium ; • Etape 2 : Dépôt d'une première couche de passivation (4) sur lesdits composants ; • Etape 3 : Réalisation des micro-interrupteurs (10) sur ledit substrat.