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- Célula solar de heterocontacto en estructura de ca- pas con un absorbedor de material semiconductor cristalino dopado tipo p o n, un emisor de un material semiconductor amorfo dopado en sentido contrario al absorbedor, una capa intermedia intrínseca de un material semiconductor amorfo entre el absorbedor y el emisor, una capa de cubierta sobre el lado del absorbedor vuelto hacia la luz, una capa que forma un campo de superficie reflectante de portadores de carga minoritaria, una estructura de contactado óhmico con una superficie minimizada de producción de sombra en el lado del absorbedor vuelto hacia la luz y una estructura de con- tactado óhmico en el lado del absorbedor alejado de la luz, caracterizada por - una formación de la capa intermedia intrínseca (IZS) con un espesor de capa di que asciende a unos pocos nm, - una formación del emisor (EM) con un espesor de capa ddop en un intervalo comprendido entre 20 nm y 40 nm, - una formación del absorbedor (AB) como zona activa con un espesor de capa dAB en el rango de nm a m, - una formación de la capa de cubierta (DS) de nitruro de silicio con un espesor de capa dDS en un rango de 70 nm, estando configurada la capa de cubierta (DS) como capa antirreflejos transparente (ARS) y también como una capa de pasivación (PS) que forma un campo de superficie (FSF) reflectante de portadores de carga minoritaria, - una disposición del emisor (EM) en una geometría in- vertida de su estructura de capas sobre el lado in- ferior (LU) del absorbedor (AB) que queda alejado de la luz, - una penetración de la capa de cubierta (DS) por la estructura de contactado óhmico (OKS) aplicada sobre el lado superior (LO) del absorbedor (AB) que queda null vuelto hacia la luz, y - una formación de gran superficie de la otra estruc- tura de contactado óhmico (UKS) sobre el emisor (EM) aplicada sobre el lado inferior (LU) del absorbedor (AB) que queda alejado de la luz.
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